2004年4月全國高等教育自學考試電子技術基礎一試題

　　在每小題列出的四個備選項中只有一個是符合題目要求的，請將其代碼填寫在題后的括號內。錯選、多選或未選均無分。

　　1.在雜質半導體中，多數(shù)載流子的濃度取決于（?。?/P>

　　A.本征半導體 B.溫度

　　C.雜質濃度 D.摻雜工藝

　　2.理想二極管構成的電路如題2圖所示，則（?。?/P>

　　A.V截止U0＝－10V

　　B.V截止U0＝－3V

　　C.V導通U0＝－10V

　　D.V導通U0＝－6V

　　3.某電路中晶體三極管的符號如題3圖，測得各管腳電位標在圖上，則該管處在（?。?/P>

　　A.放大狀態(tài)

　　B.飽和狀態(tài)

　　C.截止狀態(tài)

　　D.狀態(tài)不能確定

　　4.FET的轉移特性如題4圖所示，則該管為（?。?/P>

　　A.N溝道耗盡型

　　B.N溝道增強型

　　C.P溝道耗盡型

　　D.P溝道增強型

　　5.下列各組態(tài)放大電路中，若要求既有電壓放大作用，又有電流放大作用，應選（?。?/P>

　　A.共射組態(tài) B.共基組態(tài)

　　C.共集組態(tài) D.共漏組態(tài)

　　6.某單級放大電路的通頻帶為 ，由這樣兩個單級放大電路構成的兩級放大電路，其總的通頻帶 應是（?。?/P>

　　A. ＝2 B. >

　　C. >2 D.